時(shí)間快到猝不及防，曾經(jīng)被我們?nèi)麧M了憧憬的21世紀(jì)，已經(jīng)過去了四分之一。2024的愿景還沒來及全部打鉤，2025已經(jīng)帶著風(fēng)雪奪門而入。時(shí)間無情，去日苦多，愛你恨你，都似大江一發(fā)不收。
展望2025，窗外風(fēng)正猛雪正濃，中國半導(dǎo)體別無選擇，必須頂風(fēng)而上。在逆境中，蜷成一團(tuán)是過日子，奔放狂舞也是過日子。況且，三分天注定，七分靠打拼。那為何不在這漫天風(fēng)雪中，拼他個(gè)酣暢恣肆�？v有萬般艱難，當(dāng)你膽氣雄壯時(shí)，便能縱眼橫看天地闊。
為迎接蛇年的到來，芯謀研究邀請各細(xì)分領(lǐng)域的半導(dǎo)體行業(yè)大佬，總結(jié)過去，展望未來，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考與指引。
TEL篇
撰文：TEL中國區(qū)總裁兼首席執(zhí)行官陳捷
2024年，在人工智能強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，WFE市場規(guī)模超過1000億美元。預(yù)計(jì)2025年，人工智能搭載率將進(jìn)一步提升，DRAM投資進(jìn)一步擴(kuò)大，而NAND伴隨庫存調(diào)整也將回復(fù)投資。在這些市場因素的推動(dòng)下，WFE市場預(yù)計(jì)達(dá)到2位數(shù)增長態(tài)勢。
人工智能的應(yīng)用，離不開最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)的強(qiáng)力支撐。技術(shù)創(chuàng)新的不斷演進(jìn)，推動(dòng)了半導(dǎo)體器件向更大容量、更高速度和更低功耗的方向發(fā)展。TEL將重點(diǎn)關(guān)注全環(huán)繞柵極（GAA）、晶圓背面供電網(wǎng)絡(luò)（Backside PDN）和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等技術(shù)熱點(diǎn)。
2024年，TEL多款設(shè)備和技術(shù)都取得了市場良好的反饋，其中包括面向DRAM的High-k薄膜沉積設(shè)備、面向NAND的24腔單晶圓清洗設(shè)備及適用于HBM的臨時(shí)鍵合設(shè)備和適用于最先進(jìn)邏輯（Backside PDN）的鍵合設(shè)備等等。
此外，TEL的新型低溫刻蝕技術(shù)自2023年推出以來，備受市場關(guān)注，該技術(shù)適用于400層以上3D NAND閃存加工過程，實(shí)現(xiàn)高深寬比刻蝕。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，刻蝕超過10μm深孔的速度提升2.5倍，功耗降低40%以上。此外，該技術(shù)用HF取代了91%的CF系氣體，與上一代設(shè)備相比，保持同等以上工藝性能的前提下減少了80%的碳足跡。這款新型低溫刻蝕設(shè)備，已被多家晶圓代工廠采用，取得重大進(jìn)展。
展望2025，AI生態(tài)建設(shè)引爆行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，“全球半導(dǎo)體市場規(guī)模到2030年將增長到1萬億美元”這一觀點(diǎn)，已成為行業(yè)共識(shí)。除了人工智能服務(wù)器一如既往的強(qiáng)勁需求外，個(gè)人電腦和智能手機(jī)中的人工智能搭載率也將上升，有望增至總量的40%。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測，2030年人工智能半導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件中的比例將增長到70%，因此，人工智能在WFE市場中的應(yīng)用也將逐步上升。
繼DRAM投資恢復(fù)后，隨著庫存調(diào)整的進(jìn)行，NAND投資也有望恢復(fù)。先進(jìn)邏輯/晶圓代工的資本支出有望切實(shí)復(fù)蘇，以抵消成熟節(jié)點(diǎn)投資的低迷。我們預(yù)計(jì)，這些因素將推動(dòng)2025年WFE市場實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長。
“Technology Enabling Life”是TEL的集團(tuán)標(biāo)語，我們暢想的是一個(gè)由半導(dǎo)體支撐的夢想紛呈的未來社會(huì)。盡管發(fā)展之路會(huì)有坎坷和曲折，終點(diǎn)必將光明和偉大。
正帆篇
撰文：上海正帆科技股份有限公司董事長俞東雷
撰文：上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司董事長宋維聰
