采用突破性的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，閃存架構(gòu)迎來創(chuàng)新升級。
東京，2024年7月3日 鎧俠株式會社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM
3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣（1）。這款2Tb QLC存儲器擁有業(yè)界最大容量（），將存儲器容量提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內(nèi)的多個應(yīng)用領(lǐng)域的增長。
憑借其最新的BiCS FLASH技術(shù)，通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，鎧俠實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。此外，鎧俠還開發(fā)了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）（3）技術(shù)，以提供更高的位密度和業(yè)界領(lǐng)先的接口速度（3.6Gbps（4））。這些先進技術(shù)的應(yīng)用，共同促成了2Tb QLC存儲器的誕生，成就了業(yè)界容量最大的存儲器。
全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產(chǎn)品架構(gòu)可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片，為業(yè)界提供領(lǐng)先的4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設(shè)計，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。
Pure
Storage公司（全球領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)和服務(wù)提供商）的首席執(zhí)行官Charles Giancarlo強調(diào)了鎧俠新技術(shù)對其公司平臺的重要意義：“我們與鎧俠保持著長期的合作關(guān)系，很高興能將他們的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC閃存產(chǎn)品整合到我們的全閃存存儲解決方案中。Pure Storage的統(tǒng)一全閃存數(shù)據(jù)存儲平臺不僅能夠滿足人工智能的嚴苛要求，還能實現(xiàn)極具競爭力的備份存儲成本。在鎧俠技術(shù)的支持下，Pure Storage將繼續(xù)提供卓越的性能、能效和可靠性，為客戶創(chuàng)造超凡價值�！�
“我們很高興全新第八代BiCS FLASH技術(shù)的2Tb QLC開始送樣，”鎧俠首席技術(shù)官Hideshi Miyajima表示，“鎧俠2Tb QLC產(chǎn)品憑借其業(yè)界領(lǐng)先的高位密度、高速傳輸接口和卓越的能效比，將為快速發(fā)展的人工智能應(yīng)用，以及對功耗和空間要求嚴苛的大容量存儲應(yīng)用帶來新的價值�！�
除2Tb QLC之外，鎧俠還推出了1Tb QLC版本。相較于容量優(yōu)化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序?qū)懭胄阅苓�能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb
QLC更適用于高性能領(lǐng)域，包括客戶端SSD和移動設(shè)備。
鎧俠將持續(xù)開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的存儲器產(chǎn)品，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲解決方案需求。
注：
(1) 這些樣品僅用于功能檢測，樣品規(guī)格可能因量產(chǎn)部件而異。
(2) 截至2024年7月3日鎧俠的調(diào)查。
(3) CBA（CMOS
directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)是指CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術(shù)。
(4) 1Gbps按1,000,000,000
bits/s計算。該數(shù)值是在鎧俠株式會社的特定測試環(huán)境中獲得，可能會因用戶環(huán)境的不同而改變。
