導(dǎo)讀：據(jù)日媒報(bào)道，鎧俠7月將在四日市工廠開(kāi)始量產(chǎn)其最先進(jìn)的218層 3D NAND Flash，與現(xiàn)行品相比，存儲(chǔ)容量提高約50%、寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率已在6月回升至100%。
鎧俠此前曾宣布，將攜手西部數(shù)據(jù)投資7,290億日?qǐng)A量產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn) ......
據(jù)日媒報(bào)道，鎧俠7月將在四日市工廠開(kāi)始量產(chǎn)其最先進(jìn)的218層 3D NAND Flash，與現(xiàn)行品相比，存儲(chǔ)容量提高約50%、寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率已在6月回升至100%。
鎧俠此前曾宣布，將攜手西部數(shù)據(jù)投資7,290億日?qǐng)A量產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品，位于北上工廠廠區(qū)內(nèi)的新廠房將在2025年運(yùn)轉(zhuǎn)。據(jù)鎧俠近日公布的NAND Flash路線圖顯示，到2027年將實(shí)現(xiàn)3D NAND 1000層堆疊，這一新時(shí)間表比計(jì)劃提前了四年多。NAND 技術(shù)的進(jìn)步將對(duì)包括人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子在內(nèi)的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案的未來(lái)。
